热效应对垂直MRAM器件通过自旋力矩铁磁共振确定阻尼的影响
介观与纳米尺度物理
2024-07-31 v1
摘要
我们报告了使用自旋力矩驱动的铁磁共振对垂直磁随机存取存储器(MRAM)单元进行器件级阻尼测量。结果表明，对于直径约55纳米以下的器件，热涡动会增强显 visible 阻尼。该效应是根本性的，不反映真实阻尼的增加。除热效应外，仍发现器件级阻尼高于薄膜级阻尼且随器件尺寸减小而增大。这归因于器件图案化造成的边缘损伤。
引用
@article{arxiv.2407.20965,
title = {Thermal Effects on Damping Determination of Perpendicular MRAM Devices by Spin-Torque Ferromagnetic Resonance},
author = {H. J. Richter and G. Mihajlović and R. V. Chopdekar and W. Jung and J. Gibbons and N. D. Melendez and M. K. Grobis and T. S. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.20965},
year = {2024}
}
备注
19 pages, 10 figures