III-V 族半导体的热空穴激光器
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
在 p-Ge 热空穴激光器取得成功后，III-V 族材料（如 GaAs 和 InSb）也有潜力可用于热空穴激光。以往分析表明，重空穴与轻空穴有效质量比例较大时优势更明显，这意味着 InSb 将是出色的热空穴激光材料。我们结合对 GaAs 和 InSb 热空穴激光器的 Monte Carlo 模拟与速率方程模型，发现以往用于预测性能的准则并不总是可靠，提出了合适的替代方案。仿真结果包括随场强和激光频率变化的增益及增益带宽，亦考虑了不同的场方向和光子极化。与 bulk p-Ge 系统进行了比较。仿真预测的最优条件可用于设计量子阱热空穴激光器。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506643,
title = {Hot-hole lasers in III-V semiconductors},
author = {P. Kinsler and W. Th. Wenckebach},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506643},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 4 figures (8 frames)