半导体性 Nb2SiTe4 中可调量子阱态的直接可视化与调控
材料科学
2022-04-26 v1
摘要
量子阱态（QWSs）可在具有限域势的材料表面或界面处形成。它们在电子与光电器件（如高迁移率电子晶体管、光电探测器和量子阱激光器）中具有广泛应用。QWSs 的性质通常是器件性能的关键因素。然而，对此类态的直接可视化与调控总体上具有挑战性。本工作中，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）和扫描隧道显微镜/谱（STM/STS），直接探测窄带隙半导体 Nb2SiTe4 真空界面上产生的 QWSs。有趣的是，通过向样品表面沉积钾（K），可轻易调控 QWSs 的位置与劈裂。我们的结果表明 Nb2SiTe4 是一个用于研究和设计 QWSs 的引人入胜的半导体体系，在器件应用中具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.2204.11259,
title = {Direct Visualization and Manipulation of Tunable Quantum Well State in Semiconducting Nb2SiTe4},
author = {Jing Zhang and Zhilong Yang and Shuai Liu and Wei Xia and Tongshuai Zhu and Cheng Chen and Chengwei Wang and Meixiao Wang and Sung-Kwan Mo and Lexian Yang and Xufeng Kou and Yanfeng Guo and Haijun Zhang and Zhongkai Liu and Yulin Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.11259},
year = {2022}
}
备注
28 pages, 5 figures,