半导体双量子阱中非弹性隧穿的超快控制
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 材料科学
光学
量子物理
摘要
在基于半导体的双量子阱（QW）中，当该双量子阱与一个具有内部动力学的自由度耦合时，我们证明通过施加适当成形的电磁脉冲，可以在飞秒时间尺度内控制电子运动。特别地，我们考虑了一个脉冲驱动的、基于 AlxGa1-xAs 的对称双量子阱，该量子阱与均匀分布或局域化的振动模式耦合，并给出了最低两个能级的解析结果。通过全面的数值模拟对这些预测进行了评估和推广，结果表明，即使在同时激发振动模式的情况下，在本文确定的条件下，驱动电子动力学的局域化和时间稳定化也是可能的。
引用
@article{arxiv.1010.2004,
title = {Ultrafast control of inelastic tunneling in a double semiconductor quantum},
author = {Michael Schueler and Yaroslav Pavlyukh and Jamal Berakdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.2004},
year = {2015}
}
备注
to be published in Appl.Phys.Lett