堆垛层错缺陷附近金属薄膜量子阱态扰动的可视化
介观与纳米尺度物理
2010-01-27 v2 材料科学
摘要
我们展示了薄Pb膜的量子阱态在其本征薄膜缺陷附近受到强烈扰动。扫描隧道谱(STM/STS)测量表明，这些态的能量在缺陷4 nm范围内具有强烈的距离依赖性，最大能量波动可达100 meV。这些局域扰动在每个对应的量子阱态周围显示出LDOS中大的空间依赖性不对称性。这些能量波动可以用一个简单模型来描述，该模型考虑了由形貌变化引起的束缚势波动。
引用
@article{arxiv.0910.4466,
title = {Visualizing Quantum Well State Perturbations of Metallic Thin Films near Stacking Fault Defects},
author = {Alexander A. Khajetoorians and Gregory A. Fiete and Chih-Kang Shih},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4466},
year = {2010}
}
备注
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