GaAs/AlGaAs量子阱中单个铍受主的光谱学研究
介观与纳米尺度物理
2016-09-16 v1
摘要
我们在外加磁场下以单杂质分辨率对受主束缚激子（A^0X）复合进行了微光致发光测量。为了描述所得光谱，我们建立了一个考虑量子阱（QW）限制、电子-空穴与空穴-空穴交换相互作用的理论模型。通过用该模型拟合测量数据，我们得以研究量子阱内单个受主的精细结构。实验与模型之间的良好吻合表明，我们观察到的是处于纯二维环境中的单受主，其状态在量子阱平面内无应变。
引用
@article{arxiv.1609.04510,
title = {Optical spectroscopy of single beryllium acceptors in GaAs/AlGaAs quantum well},
author = {P. V. Petrov and I. A. Kokurin and G. V. Klimko and S. V. Ivanov and Yu. L. Ivánov and P. M. Koenraad and A. Yu. Silov and N. S. Averkiev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.04510},
year = {2016}
}