氢化无定形硅中的长程势能波动与 1/f 噪声
无序系统与神经网络
2009-11-07 v2
摘要
我们提出了解释微米厚氢化无定形硅薄膜中低频电压噪声（称为“1/f 噪声”）的微观理论。该理论将噪声追溯到深层缺陷产生的库仑势能的长程波动，从而预测了缺陷激活能分布随函数的噪声强度。该理论的预测在绝对噪声强度及其温度依赖性方面与我们自己的实验结果一致良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210680,
title = {Long-range potential fluctuations and 1/f noise in hydrogenated amorphous silicon},
author = {B. V. Fine and J. P. R. Bakker and J. I. Dijkhuis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210680},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 3 figures, several new parts and one new figure are added, but no conceptual revisions