近藤系统中的扫描隧穿散粒噪声谱学
强关联电子
2019-09-25 v1
摘要
利用大 N 理论结合 Keldysh 非平衡格林函数形式，我们研究了使用扫描隧穿显微镜（STM）在单近藤杂质附近和近藤晶格中通过扫描隧穿散粒噪声谱学（STSNS）测量的电流、微分电导、零频散粒噪声和 Fano 因子。我们表明，Fano 因子 表现出由近藤屏蔽引起的特征偏压依赖关系，类似于微分电导中观察到的近藤共振。此外， 的线形强烈依赖于从 STM 针尖隧穿到导带和磁性吸附原子电子能级的隧穿振幅之比。我们证明，由于干涉效应，Fano 因子可被增强或抑制，因此它不仅是对近藤屏蔽引起的关联效应的灵敏探测，也是对隧穿电子间量子干涉的灵敏探测。我们确定了微分电导与 Fano 因子之间的一种关联，可在未来的 STSNS 实验中检验。
引用
@article{arxiv.1906.02553,
title = {Scanning Tunneling Shot Noise Spectroscopy in Kondo Systems},
author = {Sagen Cocklin and Dirk K. Morr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02553},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 10 figures