对吸附磁性原子扫描隧道显微镜结果的重新诠释

Jongbae Hong

对吸附磁性原子扫描隧道显微镜结果的重新诠释

介观与纳米尺度物理 2013-01-25 v3 强关联电子

作者: Jongbae Hong

摘要

在偏压 $^{1,2}$ 下介观系统中近藤效应的观测开启了近藤现象物理学的新篇章。通过扫描隧道显微镜 (STM) $^{1,3-11}$ 测量了各种类型的 $dI/dV$ 线形，其中 $I$ 和 $V$ 分别表示电流和源-漏 (s-d) 偏压。然而，用单一 Fano 线形 $^{1,12-16}$ 的解释并不相关，甚至具有误导性。在此，我们基于一个微观理论为各种不对称和对称线形提供了一致的解释，该理论表明施加偏压时会产生两个共振隧穿能级 (RTL) $^{17}$ 。吸附原子与基底之间的单侧近藤耦合不会产生近藤峰，该峰仅当系统包含基底和针尖的整体近藤耦合时才出现。不对称线形的结构主要由 RTL 峰决定。因此，在大多数不对称线形中，近藤效应可以忽略。

关键词

近藤效应扫描隧道显微镜 Fano线形共振隧穿能级磁性吸附原子源-漏偏压

引用

@article{arxiv.0910.2182,
  title  = {Reinterpretation of Scanning Tunneling Microscopy on an Adsorbed Magnetic Atom},
  author = {Jongbae Hong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2182},
  year   = {2013}
}

备注

This paper will be improved and revised. 11pages, 3 figures

对吸附磁性原子扫描隧道显微镜结果的重新诠释

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关键词

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