双杂质近藤问题中渡越转变的扫描隧道谱证据
材料科学
2015-05-14 v2
摘要
我们借助数值重整化群（NRG）技术，计算了吸附在金属表面上的两个磁性原子对应的扫描隧道谱（STS）测量中的微分电导（dI/dV）。我们发现，dI/dV谱在费米能级附近的峰结构随着吸附原子间距以及吸附原子与金属表面导带之间耦合强度的变化而逐渐改变。当耦合变小时，峰消失，取而代之的是费米能级附近出现一个谷结构。这个谷结构是局域自旋间强反铁磁关联的体现。dI/dV结构从峰结构到谷结构的渐变源于双杂质近藤问题中的渡越转变。
引用
@article{arxiv.0910.3467,
title = {Scanning tunneling spectroscopic evidence of crossover transition in the two-impurity Kondo problem},
author = {Emi Minamitani and Hiroshi Nakanishi and Wilson Agerico Dino and Hideaki Kasai},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.3467},
year = {2015}
}
备注
7pages, 7 figures