双轨道分子近藤区中的电子 - 声子耦合效应

我们研究了耦合到金属引线的双轨道分子中强电子 - 电子相互作用与电子 - 声子相互作用之间的相互影响，考虑了局域声子模与分子电荷的 Holstein 型耦合以及声子介导的轨道间隧穿。通过将正则变换与数值重正化群计算相结合，以非微扰且同等的方式处理这些相互作用，我们在反绝热近似下获得了系统多体物理的全面描述；在该区域中，声子能迅速适应轨道占据数的变化，从而能够强烈影响近藤物理。电子 - 声子相互作用显著改变了分子中的裸轨道能和电子间的库仑排斥，并倾向于抑制电子在分子与引线之间的隧穿。当两个分子轨道都位于引线的费米能级附近时，这些效应的后果比仅有一个轨道活跃时要显著得多。在分子上形成局域磁矩的情况下，随着电子 - 声子耦合的增加，系统会从磁矩的集体近藤屏蔽区交叉过渡到局域声子淬灭极限。在低温下，这种交叉伴随着分子电子占据数的快速增加，以及通过单分子结的线性电导的显著下降。