分子晶体管中的声子效应：量子与经典处理
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们对 electron-phonon 相互作用在分子晶体管中的作用进行了全面的理论处理，包括量子和经典极限，并研究了等温和非平衡声子。我们在两个 regime 中详细报告了导电性、噪声和声子分布的结果。一个 regime 涉及声子温度远高于电子在量子点上和离开的速率；在此极限下，我们的方法得到经典率方程，这些方程在广泛的参数范围内数值求解。另一个 regime 是低温和弱 electron-phonon 耦合的情况，可应用 Keldysh 形式的扰动近似。声子对量子点上态密度的声子引起的再规范化与声子对量子点-导轨耦合的再规范化之间的相互作用被发现是重要的。Whether or not the phonons are able to equilibrate in a time rapid compared to the transit time of an electron through the dot is found to affect the conductance. 我们还讨论了 low-T 到 high-T 交叉的性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311503,
title = {Phonon effects in molecular transistors: Quantum and classical treatment},
author = {A. Mitra and I. Aleiner and A. J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311503},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 19 figures. Minor changes, version accepted for publication in Phys. Rev. B