弱无序导体和异结构件中电子-电子与电子-声子相互作用的效应

我们研究了电子-电子 (electron-phonon) 相互作用与弹性电子散射干涉导致的导体电导率量子修正。在三维导体中，电子-电子相互作用导致负的 $T^2 \ln T$ 修正项。在准二维 导体中，当 $d < v_F/T$（$d$ 为薄片厚度，$v_F$ 为费米速度）且电子能谱为三维时，该修正项随温度线性变化，与二维电子（G. Zala et. al., Phys. Rev.B {\bf 64}, 214204 (2001)）的修正项在数值系数上有所不同。在准一维导体中，温度依赖的修正项与 $T^2$ 成正比。通过交换虚拟声子产生的电子相互作用也给出 $T^2$ 修正项。热声子通过受遮挡变形势能与电子相互作用的结果产生 $T^4$ 项，通过未受遮挡变形势能与电子相互作用的结果产生 $T^2$ 项。在较宽的温度范围内，干涉贡献占优于纯粹的电子-声子散射，这一特征随无程度的增加而延伸。