声子维度对电子能量弛豫的影响
介观与纳米尺度物理
2007-11-26 v2
摘要
我们在亚开尔文温度下，实验研究了声子维度对蒸镀在悬空氮化硅薄膜或块体衬底上的薄铜线中电子-声子（e-p）相互作用的影响。利用灵敏的正常金属-绝缘体-超导体（NIS）隧道结温度计测量了从电子传递给声子的功率。使用厚度从30 nm到750 nm不等的薄膜，以清晰观察到二维（2D）声子系统效应的起始。我们首次观测到，二维声子谱明显改变了e-p散射率的温度依赖性和强度，对于30 nm薄膜，在低于约0.5 K的最低温度下，相互作用变得更强。
引用
@article{arxiv.0704.0336,
title = {Influence of Phonon dimensionality on Electron Energy Relaxation},
author = {J. T. Karvonen and I. J. Maasilta},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0336},
year = {2007}
}
备注
Phys. Rev. Lett. in press