自旋空隙 Mott 体和 Kondo 绝缘体中电子模式的涌现与演化

在强相关绝缘体如 Mott 体和 Kondo 绝缘体中，在非零温度下，电子模式在带隙中涌现，表现为来自带边的动量偏移磁学色散关系。随着温度升高，涌现的模式获得相当大的谱权，形成与零温带不同的稳健带。本文通过针对梯子 Hubbard 模型和双层 Hubbard 模型以及一维和二维 Kondo 格子模型，结合针对弱单元间跳跃的有效理论和数值计算，阐明了涌现模式的来源、其与掺杂诱导模式的关系，以及其谱权随温度升高的方式。结果表明，反映自旋激发的温度驱动的带结构变化，包括带数的变化，即使在具有自旋空隙的各种强相关绝缘体中，也可在温度提高至约自旋激发能的水平时被观察到。本研究所发展的受控分析显著促进了对强相关绝缘体在非零温度下带结构的基本理解。