中文

调制量子线中莫特绝缘体的前驱体

介观与纳米尺度物理 2009-10-30 v1

摘要

我们研究了相互作用电子通过单模量子线的输运,这些量子线的参数在电子费米波长的尺度上被周期性调制。电子的Umklapp散射和背散射可以用非均匀的量子正弦-戈登类模型来描述,该模型也包含了与导线绝热耦合的电子库(电极)的效应。我们专注于弱Umklapp散射,并分析了莫特转变的前驱体。在半填充时,长度为LL的调制量子线的额外电阻ΔR=Rπ/e2\Delta R = R - \pi \hbar/e^2的温度依赖性从高温(Tvρ/LT \gg v_\rho/L)下依赖于相互作用的“体”幂律ΔRT4Kρ3\Delta R \propto T^{4K_\rho-3},转变为低温(Tvρ/LT \ll v_\rho/L)下的普适ΔRT2\Delta R \propto T^2行为。偏离半填充时,即使在高温vρ/LTTv_\rho/L \ll T \ll T^{*}下,“体”结果也定性不正确,尽管在该区域导线中电子相干性不存在。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9707224,
  title  = {Precursors of Mott insulator in modulated quantum wires},
  author = {Arkadi A. Odintsov and Yasuhiro Tokura and Seigo Tarucha},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707224},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, 2 Postscript figures