doped Mott 绝缘体条纹中的自旋与电荷动力学
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
我们通过考虑具有 N 费子味道的二维 Hubbard 模型来研究 doped Mott 绝缘体中条纹的自旋与电荷动力学。对于 N=2，我们恢复正常的单带模型，而对于 N \to \infty，得到自旋密度波均匀解。对于所有带填充、晶格拓扑和 N=4 n 的情况，该模型可通过蒙特卡罗方法求解，且无需面临符号问题。在 N=4 且位于 Mott 绝缘体附近时，单粒子态密度显示出现一个能隙。在该能隙内，对于最大为 30×12 的矩形晶格拓扑，我们发现以 q = (\pi \pm \epsilon_x,\pi \pm \\epsilon_y) 为中心的无能隙自旋集体模，以及以 q = (\pm 2 \epsilon_x, \pm 2 \epsilon_y), q = (\pm \epsilon_x, \pm \epsilon_y) 和 q = (0,0) 为中心的电荷模。\epsilon_{x,y} 取决于晶格拓扑和掺杂情况。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206287,
title = {Spin and charge dynamics of stripes in doped Mott insulators},
author = {F. F. Assaad and V. Rousseau and F. Hebert and M. Feldbacher and G. G. Batrouni},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206287},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 Figues. Submitted to PRL. Corrected typos and added references