掺杂一维Mott绝缘体的自旋与电荷动力学
强关联电子
2024-09-06 v2
摘要
最近的角度解析光子能谱(ARPES)实验针对新发现的掺杂一维(1D)Mott绝缘体BaSrCuO提出,若采用1D Hubbard模型描述该材料,则邻近基座之间存在吸引性电荷相互作用。相反,针对无掺杂1D Mott绝缘体的光学激发,则提出长程排斥电荷相互作用对于理解其特性至关重要。针对这些相互对立的提议,我们对两种扩展的1D Hubbard模型进行密度矩阵正交化群(DMRG)计算,计算了单粒子谱函数以及动力学自旋和电荷结构因子。与描述吸引模型的谱函数相比,长程排斥模型的谱函数与ARPES数据匹配得较差。动力学自旋和电荷结构因子在两种模型之间也表现出差异:吸引模型显示出动力学自旋结构因子中积分权重在动量上的依赖性较小,并且在动力学电荷结构因子中,粒子-空穴型激发的上边缘上积聚更多的权重。这些特征为选择合适的掺杂1D Mott绝缘体模型提供了良好的判据,该模型可通过共振非弹性X射线散射实验进行判别。
引用
@article{arxiv.2404.11412,
title = {Spin and charge dynamics of doped one-dimensional Mott insulators},
author = {Takami Tohyama and Hiroki Maeda and Kenji Tsutsui and Shigetoshi Sota and Seiji Yunoki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.11412},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 5 figures