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三角晶格 Hubbard 模型中 Mott 相变处的输运临界性

强关联电子 2015-06-12 v1

摘要

我们研究了半满填充三角晶格 Hubbard 模型中 Mott 金属 - 绝缘体相变附近的电输运性质。基于包含团簇内顶点修正的胞元动力学平均场理论,我们计算了光学电导率 σ(ω)\sigma(\omega)。在 Mott 临界终点附近,金属区域的 Drude 分析表明,对于 Mott 相变,Drude 权重的变化比输运散射率的变化更为重要。在绝缘区域,在 Mott 相变附近的低 ω\omega 处,σ(ω)\sigma(\omega) 中出现了一个“带内”峰,并且随着库仑排斥力的减小,该峰平滑地连接到金属区域的 Drude 峰。我们发现,在临界温度下控制库仑排斥力时,这些峰的权重表现出幂律行为。所得的临界指数表明,与几项先前的工作相反,电导率不对应于 Ising 普适类的磁化强度或能量密度。

关键词

引用

@article{arxiv.1212.1227,
  title  = {Transport criticality at Mott transition in a triangular lattice Hubbard model},
  author = {Toshihiro Sato and Kazumasa Hattori and Hirokazu Tsunetsugu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1212.1227},
  year   = {2015}
}

备注

14 pages, 17 figures, accepted for publication in Physical Review B