Hubbard链中光学电导率的移动杂质方法

我们研究靠近半填充金属相的一维Hubbard模型中的光学电导率。在此状态下，大部分谱权重位于能量尺度$E_{\rm opt}$之上的频率处，该尺度在掺杂趋于零时趋向Mott绝缘相的光学能隙。利用Bethe Ansatz（贝特拟设），我们将$E_{\rm opt}$与Hubbard模型中特定类型激发的阈值联系起来。随后，我们采用移动杂质模型分析略高于这些阈值频率下的光学电导率。这需要将移动杂质模型推广到关于Hubbard链的SU(2)对称性非最高权、且出现在杂质色散极大处的激发态。