利用工业磁控溅射沉积的拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜进行自旋轨道读出
介观与纳米尺度物理
2023-11-28 v2 材料科学
摘要
驱动自旋逻辑电路需要在自旋轨道读出器件中通过自旋-电荷相互转换产生大输出信号。使用拓扑绝缘体应可实现这一点，其以高自旋-电荷相互转换效率著称。然而，高质量拓扑绝缘体迄今仅在小规模上获得，或采用与常规工业沉积工艺不兼容的大规模沉积技术。由于这些材料结构脆弱且自旋电导低，其纳米加工与电学自旋注入也已被证明十分困难。我们展示了由工业磁控溅射在SiO2上大规模沉积的拓扑绝缘体Sb2Te3制备的自旋轨道读出器件。尽管在器件纳米加工过程中Sb2Te3层的结构性质发生了改变，我们仍测量到可明确归因于自旋-电荷相互转换过程的显著输出电压。
引用
@article{arxiv.2304.09228,
title = {Spin-orbit readout using thin films of topological insulator Sb2Te3 deposited by industrial magnetron sputtering},
author = {S. Teresi and N. Sebe and T. Frottier and J. Patterson and A. Kandazoglou and P. Noël and P. Sgarro and D. Térébénec and N. Bernier and F. Hippert and J. -P. Attané and L. Vila and P. Noé and M. Cosset-Chéneau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.09228},
year = {2023}
}