赝二元Bi2(Te-Se)3拓扑绝缘体中表面态的可逆调控
强关联电子
2015-06-04 v2 材料科学
摘要
我们使用角分辨光电子能谱研究了赝二元Bi2Se0.6Te2.3拓扑绝缘体中的非平庸表面态。我们表明，与先前研究的二元化合物不同，这是一种本征拓扑绝缘体，其体导带远高于化学势。我们的数据表明，在良好的真空条件下，解理后超过两周没有显著的时效效应。我们还证明了低温下Kramers点的移动是由紫外辅助的分子氢吸附引起的。我们的发现为这些材料在器件中的应用铺平了道路，并提出了一个简便的方案来调控其性质。
引用
@article{arxiv.1205.0032,
title = {Reversible tuning of the surface state in a psuedo-binary Bi2(Te-Se)3 topological insulator},
author = {Rui Jiang and Lin-Lin Wang and Mianliang Huang and R. S. Dhaka and Duane D. Johnson and Thomas A. Lograsso and Adam Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.0032},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures