BiTeCl中可能的拓扑表面态的扫描隧道显微镜研究
介观与纳米尺度物理
2015-02-26 v1 强关联电子
摘要
最近，非中心对称碲卤化铋（如 BiTeCl）正作为拓扑绝缘体的可能候选被研究。尽管一些光电子发射研究显示 BiTeCl 是反演不对称拓扑绝缘体，其他研究显示它是具有 Rashba 分裂的正常半导体。同时，第一性原理计算迄今未能确认 BiTeCl 中拓扑表面态的存在。因此，BiTeCl 的拓扑性质需要进一步研究。此处我们报告对 BiTeCl 单晶表面态的低温扫描隧道显微镜研究。在缺陷密度低的碲终止表面，在这些态散射产生的准粒子干涉图案中发现了拓扑表面态的强证据，既体现在散射矢量的各向异性中，也体现在台阶边缘附近干涉的快速衰减中。与此同时，在缺陷密度高得多的样品上，我们观察到表现不同的表面态。我们的结果有助于解决当前关于 BiTeCl 拓扑性质的争议。
引用
@article{arxiv.1502.07080,
title = {Scanning tunneling microscopy study of the possible topological surface states in BiTeCl},
author = {Y. J. Yan and M. Q. Ren and X. Liu and Z. C. Huang and J. Jiang and Q. Fan and J. Miao and B. P. Xie and T. Zhang and D. L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07080},
year = {2015}
}
备注
13pages,4figures