在拓扑晶体绝缘体中通过解理角调控拓扑表面态
材料科学
2019-10-01 v2
摘要
最近在两类特殊绝缘体——拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体——表面发现的导电态，其特点是在足够小、可用微扰理论描述的无序程度上，对局域和非磁性表面缺陷不敏感。然而，在非局域宏观缺陷情况下表面态的行为尚不清楚。在此，我们利用基于第一性原理的实际紧束缚模型，对碲化锡族拓扑晶体绝缘体中邻位面（偏离完美表面解理）上的拓扑表面态进行系统研究。所提出的理论框架具有相当的普适性，并可轻易推广到其他拓扑绝缘体族。
引用
@article{arxiv.1812.04335,
title = {Tuning topological surface states by cleavage angle in topological crystalline insulators},
author = {Evgeny Plekhanov and Cedric Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04335},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 6 figures