TlBiSe$_2$ 中拓扑表面态对表面无序的响应
介观与纳米尺度物理
2015-02-26 v1
摘要
通过结合多种实验技术，我们表明，通过解理制备的拓扑绝缘体 TlBiSe 的最顶层在低温下由形状不规则的 Tl 岛形成，而在室温下则由可移动的 Tl 原子形成。在低温光电子发射实验中未观察到平庸的表面态，这表明这些岛不能被视为清晰的表面终止。然而，拓扑表面态在光电子发射实验中清晰可辨。这被解释为其拓扑自保护性的直接证据，并显示了类狄拉克锥表面态的稳健性质。我们的结果也有助于解释 S 掺杂 TlBiSe 中观察到的表观质量获取现象。
引用
@article{arxiv.1502.01112,
title = {Response of the topological surface state to surface disorder in TlBiSe$_2$},
author = {Florian Pielmeier and Gabriel Landolt and Bartosz Slomski and Stefan Muff and Julian Berwanger and Andreas Eich and Alexander A. Khajetoorians and Jens Wiebe and Ziya S. Aliev and Mahammad B. Babanly and Roland Wiesendanger and Jürg Osterwalder and Evgeniy V. Chulkov and Franz J. Giessibl and J. Hugo Dil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01112},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures