具有可调载流子浓度的三维 Rashba 材料 BiTeI 的晶体生长与电子性质
材料科学
2013-03-19 v2 强关联电子
摘要
三维 Rashba 材料可以在自旋相关的新奇现象中扮演主角，其范围从金属极端（非常规超导电性）到输运中间态（自旋霍尔效应）再到新颖的绝缘变体（三维拓扑绝缘态）。作为此类三维 Rashba 材料基础与应用研究的重要支柱，本研究实现了候选化合物 BiTeI 的可调载流子浓度大尺寸单晶的生长。采用了三种技术（标准垂直 Bridgman 法、改进的水平 Bridgman 法和气相输运法），并通过所选技术成功生长出了具有从金属到绝缘体根本不同电子态的 BiTeI 晶体（> 1 * 1 * 0.2 mm³）。通过相对论第一性原理计算，揭示了所获得 BiTeI 晶体相应载流子浓度的三维 Rashba 电子态，包括费米面拓扑结构。
引用
@article{arxiv.1302.3674,
title = {Crystal growth and electronic properties of a 3D Rashba material, BiTeI, with adjusted carrier concentrations},
author = {Manabu Kanou and Takao Sasagawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3674},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 5 Figures