半Heusler化合物RPtBi（R = Lu, Dy, Gd）中的金属表面电子态
强关联电子
2011-06-01 v1
摘要
稀土铂铋（RPtBi）最近被提出为潜在拓扑绝缘体。在本文中，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）测量了该家族三个成员中的金属表面电子结构。我们的数据清晰地显示了表面能带的自旋轨道分裂以及Γ点和M点处自旋的克莱默简并，这通过我们对表面电子态的全势增强平面波计算得到了很好的再现。除了在Γ点附近检测到一个微弱的费米穿越，使得费米穿越的总数为奇数外，没有检测到拓扑非平凡行为的直接迹象。然而，在表面能带计算中，这个穿越被解释为另一个克莱默对，其中两个分裂能带彼此非常接近。该家族材料作为拓扑绝缘体的分类仍然是一个悬而未决的问题。
引用
@article{arxiv.1101.1261,
title = {Metallic surface electronic state in half-Heusler compounds RPtBi (R = Lu, Dy, Gd)},
author = {Chang Liu and Yongbin Lee and Takeshi Kondo and Eun Deok Mun and Malinda Caudle and Bruce N. Harmon and Sergey L. Bud'ko and Paul C. Canfield and Adam Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1261},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 5 figures