具有可调费米能级的元素拓扑绝缘体：InSb(001) 上的应变\alpha-Sn

A. Barfuss; L. Dudy; M. R. Scholz; H. Roth; P. Höpfner; C. Blumenstein; G. Landolt; J. H. Dil; N. C. Plumb; M. Radovic; A. Bostwick; E. Rotenberg; A. Fleszar; G. Bihlmayer; D. Wortmann; G. Li; W. Hanke; R. Claessen; J. Schäfer

doi:10.1103/PhysRevLett.111.157205

具有可调费米能级的元素拓扑绝缘体：InSb(001) 上的应变\alpha-Sn

介观与纳米尺度物理 2013-10-15 v2 材料科学

作者: A. Barfuss , L. Dudy , M. R. Scholz , H. Roth , P. Höpfner , C. Blumenstein , G. Landolt , J. H. Dil , N. C. Plumb , M. Radovic , A. Bostwick , E. Rotenberg , A. Fleszar , G. Bihlmayer , D. Wortmann , G. Li , W. Hanke , R. Claessen , J. Schäfer

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摘要

我们报道了 InSb 上应变\alpha-Sn 中拓扑相的外延制备及其电子性质。密度泛函和 GW 平板层计算表明，拓扑表面态存在于一种不基于直接自旋 - 轨道耦合的异常能带序中。包含自旋探测的角分辨光电子发射实验性地探测了拓扑自旋极化态如何从第二个体价带中出现。此外，我们展示了通过掺杂剂对费米能级的精确控制。

关键词

拓扑绝缘体 α-锡应变工程费米能级调控角分辨光电子发射能带结构外延生长

引用

@article{arxiv.1308.0826,
  title  = {Elemental Topological Insulator with a Tunable Fermi Level: Strained \alpha-Sn on InSb(001)},
  author = {A. Barfuss and L. Dudy and M. R. Scholz and H. Roth and P. Höpfner and C. Blumenstein and G. Landolt and J. H. Dil and N. C. Plumb and M. Radovic and A. Bostwick and E. Rotenberg and A. Fleszar and G. Bihlmayer and D. Wortmann and G. Li and W. Hanke and R. Claessen and J. Schäfer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0826},
  year   = {2013}
}

备注

version 2 with supplementary information

具有可调费米能级的元素拓扑绝缘体：InSb(001) 上的应变\alpha-Sn

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