InSb (001)、(110) 和 (111)B 表面的电子结构
材料科学
2023-05-09 v1
摘要
利用扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究了 n 型 InSb 各种 (001)、(110) 和 (111)B 表面的电子结构。InSb(111)B (3x1) 表面重构被确定为一个无序的 (111)B (3x3) 表面重构。观察到富 In 以及 In:Sb 等比例的 (001)、(110) 和 (111)B 表面重构的表面费米能级钉扎在价带边附近。这一观察到的钉扎现象与位于价带顶附近的电荷中性能级一致。观察到 Sb 终端使 InSb (001) 表面的表面费米能级位置向导电带移动高达 meV，并使 InSb(111)B 表面向导电带移动 meV。(001) 上的表面 Sb 可以将表面从电子耗尽转变为电子积累。我们提出费米能级钉扎的移动是由于 Sb 终端表面上 Sb 团簇的电荷转移所致。此外，在 (111)B (3x1) 表面观察到许多亚带隙态，这归因于该表面的无序性质。这项工作展示了利用 Sb 终端调控 InSb 表面费米能级钉扎位置。
引用
@article{arxiv.2302.09234,
title = {Electronic structure of InSb (001), (110), and (111)B surfaces},
author = {Jason T. Dong and Hadass S. Inbar and Mihir Pendharkar and Teun A. J. van Schijndel and Elliot C. Young and Connor P. Dempsey and Christopher J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.09234},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 5 figures