通过缺陷控制实现 SnTe 中可调谐的费米能级
材料科学
2025-02-25 v2
摘要
调节拓扑晶体绝缘体碲化锡 (SnTe) 中的费米能级对于获取其独特的表面态以及优化其在自旋电子学和量子计算等应用中的电子特性至关重要。在本研究中，我们证明了在化学气相沉积合成过程中，通过控制锡浓度可以有效调制锡碲化物中的费米能级。通过引入富锡条件，我们观察到锡和碲的 X 射线光电子能谱芯能级峰发生蓝移，表明费米能级向上移动。通过紫外光电子能谱测量的功函数值降低证实了这一移动，确认了 Sn 空位受到抑制。我们的发现提供了一种低成本、可扩展的方法，以实现锡碲化物中可调谐的费米能级，为开发面向下一代技术应用的、具有定制电子特性的材料提供了重要进展。
引用
@article{arxiv.2409.08515,
title = {Realizing tunable Fermi level in SnTe by defect control},
author = {Bamidele Oluwagbenga Onipede and Matthew Metcalf and Nisha Fletcher and Hui Cai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.08515},
year = {2025}
}