混合价态拓扑绝缘体 SmB$_6$ 中依赖于终止面的表面带隙内态
强关联电子
2015-06-19 v1
摘要
我们基于第一性原理密度泛函理论平板能带结构分析，研究了潜在混合价态拓扑绝缘体 SmB 的表面态。我们发现金属表面态形成于体相带隙区域，为 SmB 的拓扑绝缘性质提供了证据。所获得的表面带隙内态与现有报道中的截然不同，因为它们取决于 Sm 或 B 表面终止面的不同而以不同方式形成，并且主要由 Sm 态组成，这表明在描述表面态时包含 电子至关重要。我们获得了费米面的自旋手性结构，这也与 SmB 的拓扑绝缘性质相符。
引用
@article{arxiv.1405.2511,
title = {Termination-dependent Surface In-gap States in a Mixed-valent Topological Insulator: SmB$_6$},
author = {Junwon Kim and Kyoo Kim and Chang-Jong Kang and Sooran Kim and Hong Chul Choi and J. -S. Kang and J. D. Denlinger and B. I. Min},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2511},
year = {2015}
}