分数拓扑绝缘体的对称能隙表面态
强关联电子
2017-11-15 v1 介观与纳米尺度物理
高能物理 - 理论
摘要
我们构造了一种分数拓扑绝缘体的对称能隙表面态，该绝缘体具有电磁 角 和一个离散的 规范场。它们是 T-pfaffian 态和 pfaffian/反半子态的恰当推广，并且与“整数”拓扑能带绝缘体对应物相比，展现出扩展的周期性。我们证明这些表面态具有与时间反演对称性和电荷守恒相关的正确反常。
引用
@article{arxiv.1706.00429,
title = {Symmetric-Gapped Surface States of Fractional Topological Insulators},
author = {Gil Young Cho and Jeffrey C. Y. Teo and Eduardo Fradkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00429},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 33 references and 2 pages of supplemental material