反铁磁拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2010-06-22 v2 材料科学
摘要
我们考虑同时破坏晶体的时间反演对称性（Theta）和原始晶格平移对称性（T），但保留其组合S = Theta T的反铁磁体。S对称性导致了绝缘体的Z_2拓扑分类，将普通绝缘体相与“反铁磁拓扑绝缘体”（AFTI）相区分开来。这种状态类似于具有时间反演对称性的“强”拓扑绝缘体，并与之共享诸如量子化磁电效应等性质。然而，对于某些表面，其表面态本质上是带隙的，并具有半量子霍尔效应（sigma_{xy} = e^2 / 2h），这可能有助于对theta = pi量子化磁电耦合的实验确认。这种表面上的台阶边缘支持无带隙的手性量子线。最后，我们讨论了GdBiPt作为该拓扑类可能实例的情况。
引用
@article{arxiv.1004.1403,
title = {Antiferromagnetic topological insulators},
author = {Roger S. K. Mong and Andrew M. Essin and Joel E. Moore},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.1403},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 8 figures