关联拓扑绝缘体与分数量子磁电效应
强关联电子
2013-05-29 v1 高能物理 - 理论
摘要
拓扑绝缘体的特征是在时间反演对称性保护下存在无带隙的表面态。在三维空间中，磁电响应通过电磁场的体θ项来描述。在这里，我们构建了此类相的理论示例，这些相无法平滑地连接到任何能带绝缘体。这种关联拓扑绝缘体允许由分数θ/π描述的分数量子磁电响应。我们证明，在玻色子或费米子的有能隙时间反演不变系统中，只有当系统在拓扑非平凡空间上也具有退禁闭的分数激发和相关的简并基态时，才可能存在分数θ/π。我们用一个具体的例子说明了这一结果，该例子是一个具有θ = π/4的关联玻色子的时间反演对称拓扑绝缘体。还简要描述了扩展到电子分数拓扑绝缘体的可能性。
引用
@article{arxiv.1005.1076,
title = {Correlated Topological Insulators and the Fractional Magnetoelectric Effect},
author = {Brian Swingle and Maissam Barkeshli and John McGreevy and T. Senthil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1076},
year = {2013}
}
备注
4 pages + refs