半金属LaBi中拓扑绝缘体态的证据
材料科学
2017-03-24 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
通过结合角分辨光电子能谱与第一性原理计算，我们对LaBi的电子结构进行了系统研究。LaBi表现出极大的磁阻(XMR)，且理论上预测其具有带反交叉及非平庸的拓扑性质。在此，除了沿 - 方向存在能带反转，以及在 和 点分别存在一个无质量和一个有能隙的类Dirac表面态之外，其费米面拓扑和能带色散的观测结果与先前对LaSb [Phys. Rev. Lett. 117, 127204 (2016)]（一种拓扑平庸的XMR半金属）的研究相似。无质量Dirac锥的奇数数目表明，LaBi类似于时间反演 非平庸拓扑绝缘体。这些发现为在稀土单磷族化合物家族中探索新型拓扑态及从拓扑相变角度研究其演化开辟了新方向。
引用
@article{arxiv.1612.03589,
title = {Evidence of topological insulator state in the semimetal LaBi},
author = {R. Lou and B. -B. Fu and Q. N. Xu and P. -J. Guo and L. -Y. Kong and L. -K. Zeng and J. -Z. Ma and P. Richard and C. Fang and Y. -B. Huang and S. -S. Sun and Q. Wang and L. Wang and Y. -G. Shi and H. C. Lei and K. Liu and H. M. Weng and T. Qian and H. Ding and S. -C. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03589},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures