量子阱态的增强准粒子动力学：巨Rashba系统BiTeI与拓扑绝缘体
强关联电子
2015-06-15 v2 材料科学
摘要
在巨Rashba半导体BiTeI中，观察到具有洛伦兹线宽的电子表面散射，该散射强烈依赖于表面终止和表面电势移动。与拓扑绝缘体Bi2Se3的比较表明，表面受限的量子阱态是这些过程的起源。我们注意到这些态的增强准粒子动力学，其散射率与碰撞主导区域中的极化子系统相当。洛伦兹散射贡献的Eg对称性不同于拓扑绝缘体中相应信号的手性(RL)对称性，尽管两个系统都具有自旋分裂的表面态。
引用
@article{arxiv.1303.4333,
title = {Enhanced quasiparticle dynamics of quantum well states: the giant Rashba system BiTeI and topological insulators},
author = {V. Gnezdilov and P. Lemmens and D. Wulferding and A. Möller and P. Recher and H. Berger and R. Sankar and F. C. Chou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4333},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures