非中心对称材料 NaSnBi 中的拓扑相
强关联电子
2016-12-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
基于第一性原理计算，我们预测非中心对称材料 NaSnBi 在常压下处于三维非平庸拓扑相。通过在 点附近推导有效模型，我们发现拓扑相变是由 Rashba 自旋轨道耦合通过奇数对能带接触驱动的，其原因是五次色散项引起的微小各向异性能隙。与常规拓扑绝缘体不同，表面狄拉克锥的自旋纹理为右手性，且对于不同的表面终止，表面态截然不同。
引用
@article{arxiv.1611.01612,
title = {Topological phase in non-centrosymmetric material NaSnBi},
author = {Xia Dai and Congcong Le and Xianxin Wu and Shengshan Qin and Zhiping Lin and Jiangping Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.01612},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures, 2 tables