SmB6 光电子发射：过去与现在
强关联电子
2022-03-01 v2
摘要
最近对混合价绝缘体 SmB6 重新产生的兴趣源于拓扑理论预测以及对可能的带隙内表面态的表面输运测量，其存在最直接地由角分辨光电子能谱 (ARPES) 探测。本文回顾了导致近期大量关于带隙内态 ARPES 研究的早期光电子发射工作。利用光子偏振和空间依赖性这两个重要工具，批判性地评估了关于 Sm 4f-5d 杂化隙性质的相互冲突的解释以及 f 态与费米能级之间观察到的 X 点能带，这也为起源更为模糊的 {\Gamma} 点带隙内态提供了额外的见解。
引用
@article{arxiv.1312.6636,
title = {SmB6 Photoemission: Past and Present},
author = {Jonathan D. Denlinger and James W. Allen and Jeong-Soo Kang and Kai Sun and Byung-Il Min and Dae-Jeong Kim and Zachary Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6636},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 6 figures, SCES2013 proceedings; references updated