现代 GaAs/AlGaAs 异质结构中过剩电子对远程施主屏蔽及迁移率的影响
介观与纳米尺度物理
2018-10-10 v3
摘要
在具有创纪录高迁移率的现代 GaAs/AlGaAs 异质结构中，量子阱中的二维电子气（2DEG）由位于阱两侧的两个远程施主 层提供。每个 层位于狭窄的 GaAs 层内，其两侧由狭窄的 AlAs 层包围，这些 AlAs 层捕获来自施主的过剩电子，但使每个过剩电子局域在带有施主的紧凑偶极原子中。尽管如此，过剩电子仍可在宿主施主之间跳跃以最小化其库仑能。结果它们极大地屏蔽了施主的随机势。我们在施主填充比例为 时数值模拟了过剩电子的伪基态，并发现由远程施主散射限制的迁移率和量子迁移率均为 的普适函数。我们对具有附加无序（如掺杂层界面粗糙）的器件重复了模拟，发现量子迁移率与测量值一致。因此，为提高量子迁移率，应最小化这种附加无序。
引用
@article{arxiv.1807.04827,
title = {Excess electron screening of remote donors and mobility in modern GaAs/AlGaAs herostructures},
author = {M. Sammon and Tianran Chen and B. I. Shklovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04827},
year = {2018}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1804.06936