一维弱反局域化与 HgTe 纳米线中的能带 Berry 相位
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
我们研究了在具有正常和倒置能带排序的量子阱 (QWs) 中制备的窄 HgTe 纳米线的磁电阻中的弱反局域化 (WAL) 效应。不同栅极电压下的测量表明，WAL 受 Rashba 自旋 - 轨道分裂的影响较弱，且当 Rashba 分裂约为零时依然存在。具有正常能带排序的纳米线中的 WAL 信号比倒排序的小一个数量级。这些观测结果归因于 HgTe 量子阱中能带的类狄拉克拓扑结构。我们从磁场和温度依赖性中提取了退相干长度和能带 Berry 相位。对于具有正常能带结构的样品，较弱的 WAL 可以通过非普适的 Berry 相位来解释，该相位总是超过无间隙狄拉克费米子的特征值\pi。
引用
@article{arxiv.1306.2796,
title = {One-dimensional weak antilocalization and band Berry phases in HgTe wires},
author = {M. Mühlbauer and A. Budewitz and B. Büttner and G. Tkachov and E. M. Hankiewicz and C. Brüne and H. Buhmann and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2796},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures