Cu掺杂CaAuAs中的弱反局域化效应与三重简并态
强关联电子
2022-08-15 v1
摘要
通过在Au位50% Cu掺杂，借助电子能带结构计算、电阻率和磁输运测量，研究了拓扑狄拉克半金属CaAuAs中的效应。电子结构计算表明，通过合金工程，CaAuAs中由对称性破缺驱动的从狄拉克态到三重简并点态的拓扑相变。CaAuAs与CaAuCuAs化合物的电阻率均呈金属性行为。CaAuAs中观察到非饱和准线性磁电阻（MR）。另一方面，掺杂化合物的MR在低场区呈现显著的尖点状特征。CaAuCuAs中MR的此类行为归因于弱反局域化（WAL）效应。使用不同理论模型分析了WAL效应，包括描述三维WAL的半经典模型以及修正的Hikami-Larkin-Nagaoka模型。纵向MR中也观察到强WAL效应，可用广义Altshuler-Aronov模型很好地描述。我们的研究表明，WAL效应源于弱无序和自旋轨道耦合的体态。有趣的是，当电流与磁场均沿轴施加时，我们在纵向MR中也观察到了手征反常的征兆。霍尔电阻率测量表明，这些化合物中的电荷传导机制由空穴主导，浓度约10 cm，迁移率约10 cm V S。
引用
@article{arxiv.2208.06208,
title = {Weak antilocalization effect and triply degenerate state in Cu-doped CaAuAs},
author = {Sudip Malick and Arup Ghosh and Chanchal K. Barman and Aftab Alam and Z. Hossain and Prabhat Mandal and J. Nayak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.06208},
year = {2022}
}