Bi0.85Sb0.15 拓扑单晶中表面态诱导的弱反局域化效应
材料科学
2022-05-06 v2 强关联电子
摘要
我们报道了 Bi0.85Sb0.15 单晶中由表面态（SS）驱动的磁输运实验证据。对所研究的 Bi0.85Sb0.15 单晶进行了详细的高场（高达 12T）和低温（低至 2K）磁输运测量。通过 X 射线衍射、能量色散 X 射线和拉曼光谱研究了其相、成分与拉曼模式。所得晶体在 2K 和 12T 下表现出非饱和磁阻（4250%），以及在零磁场附近的弱反局域化（WAL）效应。进一步，采用 Hikami-Larkin-Nagaoka（HLN）分析来研究 WAL 效应。在不同温度下推导了前置因子与相位相干长度，表明所研究的 Bi0.85Sb0.15 单晶中存在多于一个的导电路道。通过将各种场依赖的二次、一次与常数项加入由 SS 驱动的 HLN 方程，研究了量子散射、表面态下方体贡献及缺陷的影响。通过分析相位相干长度的温度依赖性，研究了各种可能的散射机制。所研究 Bi0.85Sb0.15 单晶的角度依赖磁电导清晰地确认了本晶体中由表面态主导的输运。
引用
@article{arxiv.2205.01880,
title = {Surface states induced weak anti-localization effect in Bi0.85Sb0.15 topological single crystal},
author = {Yogesh Kumar and VPS Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.01880},
year = {2022}
}
备注
19 Pages Text + Figs. Accepted Mat. Res. Express (2022)