拓扑近藤绝缘体 SmB6 紧束缚模型中的表面重构
强关联电子
2015-12-04 v2
摘要
针对强关联拓扑绝缘体 SmB6，我们讨论了 (001) 表面的 2x1 重构对拓扑表面态的影响。根据微观细节，该重构对电子态可以是弱扰动或强扰动。前者仅导致表面能带的弱回折，而后者可以改变表面态的色散并导致 Lifshitz 相变。我们分析了准粒子干涉信号：虽然在无表面重构的 SmB6 模型中该信号往往较弱，但我们发现 2x1 重构可以诱导出新的峰。我们讨论了实验意义。
引用
@article{arxiv.1509.04426,
title = {Surface reconstruction in a tight-binding model for the topological Kondo insulator SmB6},
author = {Pier Paolo Baruselli and Matthias Vojta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.04426},
year = {2015}
}