离子损伤 SmB_6 中的表面态重构
强关联电子
2015-02-16 v1 材料科学
摘要
我们利用离子辐照对 SmB_6 单晶的 (001) 表面造成不同深度的损伤，并测量了每种损伤深度下电阻率随温度的变化。我们观察到剩余电阻率随损伤深度的增加而降低。我们的数据与以下模型一致：表面态未被离子辐照破坏，相反，损伤层导电性较差，初始表面态在损伤层下方重构。这种行为与拓扑保护的表面态一致。
引用
@article{arxiv.1502.04103,
title = {Surface state reconstruction in ion-damaged SmB_6},
author = {N. Wakeham and Y. Q. Wang and Z. Fisk and F. Ronning and J. D. Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.04103},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures