由动力学平均场理论确定的SmB$_6$拓扑性质
强关联电子
2021-08-25 v1
摘要
SmB6是否为拓扑绝缘体仍存激烈争论。我们的密度泛函理论加动力学平均场理论计算与从4f^{5.5}中间价态到x射线与光电子能谱的广泛实验极为吻合。利用完全捕获自能的极点扩展（PE）哈密顿量，我们表明SmB6是一个强关联拓扑绝缘体，尽管不是Kondo绝缘体。证明了PE哈密顿量在拓扑上等价于（非）局域自能的拓扑哈密顿量。分析了拓扑表面态，解决了光电子数据的冲突解释。
引用
@article{arxiv.1907.03899,
title = {Topology of SmB$_6$ determined by dynamical mean field theory},
author = {Patrik Thunström and Karsten Held},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.03899},
year = {2021}
}
备注
The Supplemental Material starts at page 7