对偶拓扑半金属 Pt2HgSe3 的块体与表面电子结构
材料科学
2020-03-18 v1
摘要
我们报道了通过高压合成生长的 Pt2HgSe3 单晶的高分辨率角分辨光电子能谱测量。我们的数据揭示了一条有能隙的狄拉克节线，其 (001) 投影将表面布里渊区划分为拓扑与非平凡区域。在非平凡 空间范围内，我们发现色散中具有多个鞍点的表面态，导致表面态密度中出现两个范霍夫奇点。基于密度泛函理论计算，我们将这些表面态认定为与弱拓扑相共存的拓扑晶体态的特征。
引用
@article{arxiv.1909.05051,
title = {Bulk and surface electronic structure of the dual-topology semimetal Pt2HgSe3},
author = {I. Cucchi and A. Marrazzo and E. Cappelli and S. Ricco and F. Y. Bruno and S. Lisi and M. Hoesch and T. K. Kim and C. Cacho and C. Besnard and E. Giannini and N. Marzari and M. Gibertini and F. Baumberger and A. Tamai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.05051},
year = {2020}
}