工程化拓扑表面态：HgS、HgSe和HgTe
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
利用密度泛函电子结构计算，我们确定了表面终止和修饰对黑辰砂（β-HgS）受保护表面态的影响。我们发现，对于(110)表面，狄拉克锥是各向同性的且与价带良好分离，而在纯(001)表面，它是高度各向异性的。我们证明，各向异性可以通过表面钝化来改变，因为拓扑表面态包括来自悬挂键的贡献。这种悬挂键存在于整个HgX（X = S、Se或Te）类中的所有纯表面上，并直接影响狄拉克锥的性质。表面修饰还会改变拓扑保护边缘态的空间位置（深度和衰减长度），这使得它们对于光发射数据的解释至关重要。
引用
@article{arxiv.1306.0999,
title = {Engineering topological surface-states: HgS, HgSe and HgTe},
author = {Francois Virot and Roland Hayn and Manuel Richter and Jeroen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.0999},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures