一种新型拓扑绝缘体——层内面应变下的 $\beta$-InTe
材料科学
2017-08-31 v2
摘要
我们研究了承受层内面双轴拉伸的 -InTe 层状晶体的体晶体及 (001) 表面的能带结构。计算采用在 WIEN2k 中实现的全势线性化缀加平面波法 (FP LAPW) 进行。结果表明，在应变 （其中 为层内面的晶格参数）时，电子能谱中的能隙坍缩。随着应变进一步增大，发生能带反转。引入自旋-轨道相互作用后，体晶体电子能谱中的能隙重新打开，且我们的计算表明，表面态的能谱呈现拓扑绝缘体典型的 Dirac 锥形式。
引用
@article{arxiv.1708.07685,
title = {A new topological insulator - \beta-InTe strained in the layer plane},
author = {F. M. Hashimzade and D. A. Huseinova and Z. A. Jahangirli and N. T. Mamedov and B. H. Mehdiyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07685},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 9 figures