有限能隙HgTe量子阱中狄拉克费米子的背散射
介观与纳米尺度物理
2015-03-18 v2
摘要
我们从实验和理论两方面研究了具有反转型能带结构的n型HgTe量子阱中依赖于载流子密度的迁移率。虽然具有抛物线色散的半导体异质结构表现出迁移率随载流子密度增加而增加，但高质量的HgTe量子阱却呈现出明显的迁移率极大值。我们证明，这种迁移率反常现象源于能隙（狄拉克质量）随机涨落引起的狄拉克费米子背散射。我们的发现为研究具有有限且随机质量的狄拉克费米子输运开辟了新途径，而这一领域此前一直难以触及。
引用
@article{arxiv.1101.5692,
title = {Backscattering of Dirac fermions in HgTe quantum wells with a finite gap},
author = {G. Tkachov and C. Thienel and V. Pinneker and B. Buettner and C. Bruene and H. Buhmann and L. W. Molenkamp and E. M. Hankiewicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.5692},
year = {2015}
}
备注
version as published in Phys. Rev. Lett. 106, 076802 (2011)