GaN纳米线甲烷传感中的局域电荷转移过程与表面能带弯曲
材料科学
2016-05-12 v1
摘要
半导体纳米结构表面参与电化学和传感设备的物理化学过程受到本征或外禀缺陷存在的强烈影响。为揭示表面控制的传感机制，在GaN纳米线表面制造了晶格氧缺陷以阐明甲烷(CH4)传感中的电荷转移过程。对富氧GaN纳米线的电子能量损失谱(EELS)研究和模拟实验证实了2(ON)和VGa-3ON缺陷复合物可能存在。利用开尔文探针显微镜(SKPM)原位扫描研究了阵列纳米线传感器件的全局电阻响应和单根GaN纳米线中的局域电荷转移过程。涉及纳米线表面VGa-3ON缺陷复合物的局域电荷转移过程被归因于控制富氧阵列GaN纳米线的全局气敏行为。
引用
@article{arxiv.1605.03293,
title = {Localized Charge Transfer Process and Surface Band Bending in Methane Sensing by GaN Nanowires},
author = {A. Patsha and P. Sahoo and S. Amirthapandian and A. K. Prasad and A. Das and A. K. Tyagi and M. A. Cotta and S. Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03293},
year = {2016}
}
备注
42 pages, 6 figures, Journal